KB体育电子元件规格、符号、命名标准电子元件规格、符号、命名标准电子元件规格、符号、命名标准 常用电子元器件参考资料 第一节 部分电气图形符号 一(电阻器、电容器、电感器和变压器 图形符号 名称与说明 图形符号 名称与说明 电感器、线圈、绕组或扼 电阻器一般符号 流图。注:符号中半圆数 不得少于3个 带磁芯、铁芯的电感器 可变电阻器或可调 电阻器 带磁芯连续可调的电感器 滑动触点电位器 双绕组变压器 极性电容 注:可增加绕组数目 绕组间有屏蔽的双绕组变 可变电容器或可调压器 电容器 注:可增加绕组数目 双联同调可变电容在一个绕组上有抽头的变 ...
常用电子元器件参考资料 第一节 部分电气图形符号 一(电阻器、电容器、电感器和变压器 图形符号 名称与说明 图形符号 名称与说明 电感器、线圈、绕组或扼 电阻器一般符号 流图。注:符号中半圆数 不得少于3个 带磁芯、铁芯的电感器 可变电阻器或可调 电阻器 带磁芯连续可调的电感器 滑动触点电位器 双绕组变压器 极性电容 注:可增加绕组数目 绕组间有屏蔽的双绕组变 可变电容器或可调压器 电容器 注:可增加绕组数目 双联同调可变电容在一个绕组上有抽头的变 器。 压器 注:可增加同调联数 微调电容器 - 1 - 二(半导体管 图形符号 名称与说明 图形符号 名称与说明 JFET结型场效应 (1) 二极管的符号 管 (1)N沟道 (2)P沟道 (2) 发光二极管 PNP型晶体三极管 光电二极管 稳压二极管 NPN型晶体三极 管 全波桥式整流器 变容二极管 三(电气图形符号 图形符号 名称与说明 图形符号 名称与说明 具有两个电极 的压电晶体 注:电极数目 或 接机壳或底板 可增加 熔断器 导线的连接 指示灯及信号导线的不连接 灯 扬声器 动合(常开)触点开 关 蜂鸣器 动断(常闭)触点开 关 接大地 手动开关 - 2 - 第二节 常用电子元器件型号命名法及主要技术参数 一(电阻器和电位器 1( 电阻器和电位器的型号命名方法 表1 电阻器型号命名方法 第一部分:主称 第二部分:材料 第三部分:特征分类 第四部分:序号 符符意义 符号 意义 号 意义 号 电阻器 电位器 电阻器 碳膜 普通 普通 R T 1 电位器 合成膜 普通 普通 W H 2 有机实芯 超高频 ―― S 3 对主称、材无机实芯 高阻 ―― N 4 料相同，仅性能金属膜 高温 ―― J 5 指标、尺寸大小氧化膜 ―― ―― Y 6 有差别，但基本沉积膜 精密 精密 C 7 不影响互换使用玻璃釉膜 高压 特殊函数 I 8 的产品，给予同硼碳膜 特殊 特殊 P 9 一序号;若性能硅碳膜 高功率 ―― U G 指标、尺寸大小线绕 可调 ―― X T 明显影响互换压敏 ―― 微调 M W 时，则在序号后光敏 ―― 多圈 G D 面用大写字母作热敏 温度补偿用 ―― R B 为区别代号。 温度测量用 ―― C 旁热式 ―― P 稳压式 ―― W 正温度系数 ―― Z 示例: (1) 精密金属膜电阻器 R J 7 3 第四部分:序号 第三部分:类别(精密) 第二部分:材料(金属膜) 第一部分:主称(电阻器) (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分:序号 第三部分:类别(多圈) 第二部分:材料(线绕) 第一部分:主称(电位器) 2(电阻器的主要技术指标 (1) 额定功率 电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称 为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率， 而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功 率，如表2所示。 - 3 - 表2 电阻器的功率等级 名称 额定功率(W) 实芯电阻器 , 0.25 0.5 1 2 5 0.5 1 2 6 10 15 线 0.25 0.5 1 薄膜电阻器 2 5 10 25 50 100 (2) 标称阻值 阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。 表3 标称值系列 标称值系列 精度 电阻器(,)、电位器(,)、电容器标称值(PF) 1.0 1.1 1.2 1.3 1.5 1.6 1.8 2.0 E24 ,5% 2.2 2.4 2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 , , E12 ,10% 3.3 3.9 4.7 5.6 6.8 8.2 , E6 ,20% 1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 6.8 8.2 n 表中数值再乘以10，其中n为正整数或负整数。 (3) 允许误差等级 表4 电阻的精度等级 允许误差%) ,0.001 ,0.002 ,0.005 ,0.01 ,0.02 ,0.05 ,0.1 等级符号 E X Y H U W B 允许误差%) ,0.2 ,0.5 ,1 ,2 ,5 ,10 ,20 等级符号 J(I) K(II) M(III) C D F G 3(电阻器的标志内容及方法 (1) 文字符号直标法:用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额 定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5,，2K7表示2.7k,， 表, 文字符号 R K M G T 36912表示单位 欧姆(,) 千欧姆(10,) 兆欧姆(10,) 千兆欧姆(10,) 兆兆欧姆(10,) 例如: RJ71,0.125,5k1,II 允许误差,10% 标称阻值(5.1k,) 额定功率1/8W 型号 由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1k,，允许误差为,10%。 (2) 色标法: 色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色(色环或色点) 标注在它的外表面上。色标电阻(色环电阻)器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图1和图2所示。 - 4 - 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数 允许误差 颜 色 第一位有效值 第二位有效值 倍 率 允 许 偏 差 黑 0 0 棕 1 1 红 2 2 橙 3 3 黄 4 4 绿 5 5 蓝 6 6 紫 7 7 灰 8 8 白 ―20% ~ +50% 9 9 金 5% 银 10% 无色 20% 图1 两位有效数字阻值的色环表示法 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值第三位有效数字 标称值有效数字后0的个数 允许误差 颜色 第一位有效值 第二位有效值 第三位有效值 倍 率 允许偏差 黑 0 0 0 棕 1 1 1 1% 红 2 2 2 2% 橙 3 3 3 黄 4 4 4 绿 5 5 5 0.5% 蓝 6 6 6 0.25 紫 7 7 7 0.1% 灰 8 8 8 白 9 9 9 金 银 图2 三位有效数字阻值的色环表示法 - 5 - 三色环电阻器的色环表示标称电阻值(允许误差均为,20%)。例如，色环为棕黑红，表2示10，10,1.0k,,20%的电阻器。 四色环电阻器的色环表示标称值(二位有效数字)及精度。例如，色环为棕绿橙金表示315，10,15k,,5%的电阻器。 五色环电阻器的色环表示标称值(三位有效数字)及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表4示275，10,2.75M,,1%的电阻器。 一般四色环和五色环电阻器表示允许误差的色环的特点是该环离环的距离较远。较标准的表示应是表示允许误差的色环的宽度是色环的(1.5~2)倍。 有些色环电阻器由于厂家生产不
，无法用上面的特征判断，只能借助万用表判断。 4(电位器的主要技术指标 (1) 额定功率 电位器的两个固定端上允许耗散的最大功率为电位器的额定功率。使用中应注意额定功率不等于中心抽头与固定端的功率。 (2) 标称阻值 标在产品上的名义阻值，其系列与电阻的系列类似。 (3) 允许误差等级 实测阻值与标称阻值误差范围根据不同精度等级可允许,20%、,10%、,5%、,2%、,1%的误差。精密电位器的精度可达0.1%。 (4) 阻值变化规律 指阻值随滑动片触点旋转角度(或滑动行程)之间的变化关系，这种变化关系可以是任何函数形式，常用的有直线式、对数式和反转对数式(指数式)。 在使用中，直线式电位器适合于作分压器;反转对数式(指数式)电位器适合于作收音机、录音机、电唱机、电视机中的音量。维修时若找不到同类品，可用直线式代替，但不宜用对数式代替。对数式电位器只适合于作音调控制等。 5(电位器的一般标志方法 WT,2 3.3k ,10% 允许误差,10% 标称阻值3.3k, 额定功率2W 碳膜电位器 WX,1 510, J 允许误差,5% 标称阻值510, 额定功率1W 线(电容器型号命名法 表6 电容器型号命名法 第一部分:主第二部分: 第三部分: 称 材料 特征、分类 第四部分: 序号 符号 意 符 符意义 义 号 意义 号 瓷介 云母 玻璃 电解 其他 电 C 瓷介 1 圆片 非密封 , 箔式 非密封 对主称、材料相同，仅尺 容 寸、性能指标略有不同，Y 云母 2 管形 非密封 , 箔式 非密封 器 但基本不影响互使用的产I 玻璃釉 3 迭片 密封 , 烧结粉固体 密封 品KB体育，给予同一序号;若尺O 玻璃膜 4 独石 密封 , 烧结粉固体 密封 寸性能指标的差别明显;Z 纸介 5 穿心 , , , 穿心 影响互换使用时，则在序J 金属化纸 6 支柱 , , , , 号后面用大写字母作为区B 聚苯乙烯 7 , , , 无极性 , 别代号。 L 涤纶 8 高压 高压 , , 高压 Q 漆膜 9 , , , 特殊 特殊 S 聚碳酸脂 J 金属膜 H 复合介质 W 微调 D 铝 A 钽 N 铌 G 合金 T 钛 E 其他 示例: (1) 铝电解电容器 C D 1 1 第四部分:序号 第三部分:特征分类(箔式) 第二部分:材料(铝) 第一部分:主称(电容器) (2) 圆片形瓷介电容器 C C 1,1 第四部分:序号 第三部分:特征分类(圆片) 第二部分:材料(瓷介质) 第一部分:主称(电容器) (3)纸介金属膜电容器 C Z J X 第四部分:序号 第三部分:特征分类(金属膜) 第二部分:材料(纸介) 第一部分:主称(电容器) 2(电容器的主要技术指标 (1) 电容器的耐压: 常用固定式电容的直流工作电压系列为:6.3V，10V，16V，25V， 40V，63V，100V，160V，250V，400V。 (2) 电容器容许误差等级:常见的有七个等级如表7所示。 - 7 - 表7 +20% +50% +100% 容许误差 ,2% ,5% ,10% ,20% -30% -20% -10% 级别 0.2 I II III IV V VI , 電容常用字母代表誤差:B: ?0.1,,C: ?0.25,,D: ?0.5,,F: ?1,,G: ?2 ,,J: ?5,,K: ?10,,M: ?20,,N: ?30,,Z:+80,-20,。 (3) 标称电容量: 表8 固定式电容器标称容量系列和容许误差 系列代号 E24 E12 E6 容许误差 ,5%(I)或(J) ,10%(II)或(K) ,20%(III)或(m) 标称容量10,11,12,13,15,16,18,20,22,24,27,30,10,12,15,18,22,27,33,310,15,22,23,47,68 对应值 33,36,39,43,47,51,56,62,68,75,82,90 9,47,56,68,82 注:标称电容量为表中数值或表中数值再乘以，其中n为正整数或负整数，单位为pF。 3(电容器的标志方法 (1) 直标法 容量单位:F(法拉)、,F(微法)、nF(纳法)、pF(皮法或微微法)。 1法拉=微法=微微法， 1微法=纳法=微微法 1纳法=微微法 例如:4n7 表示4.7nF或4700pFKB体育，0.22 表示0.22,F，51 表示51pF。 有时用大于1的两位以上的数字表示单位为pF的电容，例如101表示100 pF;用小于1的数字表示单位为,F 的电容，例如0.1表示0.1,F。 (2) 数码表示法 一般用三位数字来表示容量的大小，单位为pF。前两位为有效数字，i-1后一位表示位率。即乘以10，i为第三位数字，若第三位数字9，则乘10。如223J代表3-122，10pF,22000pF,0.22,F，允许误差为,5%;又如479K代表47，10pF，允许误差为,5%的电容。这种表示方法最为常见。 (3)色码表示法 这种表示法与电阻器的色环表示法类似，颜色涂于电容器的一端或从顶端向引线排列。色码一般只有三种颜色，前两环为有效数字，第三环为位率，单位为pF。有时色环较宽，如红红橙，两个红色环涂成一个宽的，表示22000pF。 三(电感器 1(电感器的分类 常用的电感器有固定电感器、微调电感器、色码电感器等。变压器、阻流圈、振荡线圈、偏转线圈、天线线圈、中周、继电器以及延迟线和磁头等，都属电感器种类。 2(电感器的主要技术指标 (1) 电感量: 在没有非线性导磁物质存在的条件下，一个载流线圈的磁通量Φ与线圈中的电流I成正比，其比例常数称为自感系数，用L表示，简称为电感。即: L=Φ/I (2) 固有电容:线圈各层、各匝之间、绕组与底板之间都存在着分布电容。统称为电感 器的固有电容KB体育。 (3) 品质因数: 电感线圈的品质因数定义为: Q=, L/ R 式中:,,工作角频率，L,线圈电感量，R,线圈的总损耗电阻。 - 8 - (4) 额定电流:线圈中允许通过的最大电流。 (5) 线圈的损耗电阻:线(电感器电感量的标志方法 (1) 直标法。单位H(亨利)、mH(毫亨)、,H(微亨)、 (2) 数码表示法。方法与电容器的表示方法相同。 (3) 色码表示法。这种表示法也与电阻器的色标法相似，色码一般有四种颜色，前两种 颜色为有效数字，第三种颜色为倍率，单位为,H，第四种颜色是误差位。 四(半导体分立器件 1(半导体分立器件的命名方法 (1) 我国半导体分立器件的命名法 表9 国产半导体分立器件型号命名法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用数字表示器用汉语拼音字母表示器用汉语拼音字母 用数字用汉语拼件电极的数目 件的材料和极性 表示器件的类型 表示器件音表示规 序号 格的区别符意义 符意义 符意义 符意义 代号 号 号 号 号 2 二极管 A N型，锗材料 P 普通管 D 低频大功率管 B P型，锗材料 V 微波管 (,3MHz, C N型，硅材料 W 稳压管 ,1W) PC D P型，硅材料 C 参量管 A 高频大功率管 Z 整流管 (,3MHz 3 三极管 A PNP型，锗材料 L 整流堆 P,1W) C B NPN型，锗材料 S 隧道管 半导体闸流管 T C PNP型，硅材料 N 阻尼管 (可控硅整流器) D NPN型，硅材料 U 光电器件 体效应器件 Y E 化合物材料 K 开关管 雪崩管 B X 低频小功率管 阶跃恢复管 J (,3MHz, 场效应器件 CS P半导体特殊器件
150 FE B 管 脚 E C - 16 - (5) 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管 表20 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数 原 型 号 3DG12 测 试 条 件 新 型 号 3DG130A 3DG130B 3DG130C 3DG130D P(mW) 700 700 700 700 CM 极I(mA) 300 300 300 300 CM 限BV(V) , 40 , 60 , 40 , 60 I,100µA CBOC参BV(V) , 30 , 45 , 30 , 45 I,100µA CEOC数 BV(V) , 4 , 4 , 4 , 4 I,100,A EBOE I(,A) , 0.5 , 0.5 , 0.5 , 0.5 V,10V CBOCB直I(,A) , 1 , 1 , 1 , 1 V,10V CEOCE流I(,A) , 0.5 , 0.5 , 0.5 , 0.5 V,1.5V EBOEB参V(V) , 1 , 1 , 1 , 1 I,100mA I,10mA BESCB数 V(V) , 0.6 , 0.6 , 0.6 , 0.6 I,100mA I,10mA CESCB h ,30 , 30 , 30 , 30 V,10V I,50mA FECEC交V,10V I,50mA f,100MHz R,5, f(MHz) , 150 , 150 , 300 , 300 CBELT流V,–10V I,50mA f,100MHz K(dB) , 6 , 6 , 6 , 6 CBEP参C(pF) , 10 , 10 , 10 , 10 V,10V I,0 obCBE数 h色标分档 (红)30~60 (绿)50~110 (蓝)90~160 (白)
150 FE B 管 脚 E C (5) 9011~9018塑封硅三极管 表21 9011~9018塑封硅三极管的参数 (3DG) (3CX) (3DX) (3DG) (3CG) (3DG) (3DG) 型 号 9011 9012 9013 9014 9015 9016 9018 极P(mW) 200 300 300 300 300 200 200 CM 限I(mA) 20 300 300 100 100 25 20 CM 参BV(V) 20 20 20 25 25 25 30 CBO 数 BV(V) 18 18 18 20 20 20 20 CEO BV(V) 5 5 5 4 4 4 4 EBO I(,A) 0.01 0.5 0,5 0.05 0.05 0.05 0.05 CBO 直I(,A) 0.1 1 1 0.5 0.5 0.5 0.5 CEO 流I(,A) 0.01 0.5 0,5 0.05 0.05 0.05 0.05 EBO 参V(V) 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.35 CES 数 V(V) 1 1 1 1 1 1 BES h 30 30 30 30 30 30 30 FE 交f(MHz) 100 80 80 500 600 T流C(pF) 3.5 2.5 4 1.6 4 ob参 K(dB) 10 数 P h色标分档 (红)30~60 (绿)50~110 (蓝)90~160 (白)
150 FE 管 脚 E B C - 17 - 6(常用场效应管主要参数 表22 常用场效应三极管主要参数 N沟道结型 MOS型N沟道耗尽型 参数名称 3DJ2 3DJ4 3DJ6 3DJ7 3D01 3D02 3D04 D~H D~H D~H D~H D~H D~H D~H 饱和漏源电流I(mA) 0.3~10 0.3~10 0.3~10 0.35~1.8 0.35~10 0.35~25 0.35~10.5 DSS 夹断电压V(V)
2000
2000
1000
3000 ,1000 ,4000 ,2000 m 最大漏源电压BV(V)
20
20
20
20
20
12~20
20 DS 最大耗散功率P(mW) 100 100 100 100 100 25~100 100 DNI 8 888889 栅源绝缘电阻r(,) ,10,10 ,10 ,10 ,10 ,10~10,100 GS G D 管脚 或 S D S G 五(模拟集成电路 1.模拟集成电路命名方法(国产) 表23 器件型号的组成 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第0部分 用字母表示器件用字母表示器件的类型 用阿拉伯数用字母表示器件用字母表示器件的封装 符合国家标准 字表示器件的工作温度范围 的系列和品符意义 符意义 符号 意义 符意义 种代号 号 号 号 o 中国制造 陶瓷扁平 C T TTL C 0~70CW o塑料扁平 H HTL E -40~85C B o全封闭扁平 E ECL R -55~85C F o陶瓷直插 C CMOS M -55~125C D 线性放大器 ？？ ？？ 塑料直插 F P 音响、电视电路 黑陶瓷直插 D J 稳压器 金属菱形 W K 接口电路 金属圆形 J T 例: C F 741 C T 金属圆形封装 o o 0 ~ 70C 器件代号 线性放大器 中国国家标准 - 18 - 2(国外部分公司及产品代号 表24 国外部分公司及产品代号 公司名称 代号 公司名称 代号 美国无线电公司(BCA) CA 美国悉克尼特公司(SIC) NE 美国国家半导体公司 (NSC) LM 日本电气工业公司(NEC) ,PC 美国莫托洛拉公司(MOTA) MC 日本日立公司(HIT) RA 美国仙童公司(PSC) ,A 日本东芝公司(TOS) TA 美国德克萨斯公司(TII) TL 日本三洋公司(SANYO) LA，LB 日本松下公司 美国模拟器件公司(ANA) AD AN 日本三菱公司 美国英特西尔公司(INL) IC M 3(部分模拟集成电路引脚排列 (1) 运算放大器，如图3所示: (2) 音频功率放大器，如图4所示: 抑 抑 正 输 调 电 自 制 制 输 电 出 零 源 举 纹 空 纹 入 空 源 端 端 端 端 波 脚 波 端 脚 8 7 6 5 14 13 12 11 10 9 8 LM741 LA4100 1 2 3 4 1 2 3 4 5 6 7 调 负 正 负 输 电 衬 补 补 负 空 零 输 输 电 出 源 底 偿 偿 反 脚 端 入 入 源 端 地 地 端 端 馈 端 端 端 端 图3 图4 (3) 集成稳压器，如图5所示: LM 317 调 输 整 入 1 2 3 输出 图 5 - 19 - 4(部分模拟集成电路主要参数 (1) ,A741运算放大器的主要参数 表25 ,A741的性能参数 电源电压+U+3V~+18V，典型值+15V CC 工 作 频 率 -U-3V~-18V， -15V 10kHz EE 输入失调电压U2mV 单位增益带宽积A•BW 1MHz IO u 输入失调电流I20nA 转换速率S0.5V/,S IO R 开环电压增益A106dB 共模抑制比CMRR 90dB uo 功率消耗 输入电阻R2M, 50mW i 输入电压范围 输出电阻R75, ,13V o (2) LA4100、LA4102音频功率放大器的主要参数 表26 LA4100~LA4102的典型参数 典 型 值 条 件 参数名称/单位 LA4100 LA4102 静 态 耗散电流/mA 30.0 26.1 电压增益/dB R,220,，f,1kHz 45.4 44.4 NF 输出功率/W THD,10%，f,1kHz 1.9 4.0 总谐波失线 输出噪声电压/mV R,0，U,45dB 0.24 gG 注:+U,+6V(LA4100)+U,+9V(LA4102) R,8, CCCCL (3) CW7805、CW7812、CW7912、CW317集成稳压器的主要参数 表27 CW78，，，CW79，，，CW317参数 参数名称/单位 CW7805 CW7812 CW7912 CW317 输入电压/V +10 +19 -19 ,40 输出电压范围/V +4.75~+5.25 +11.4~+12.6 -11.4~-12.6 +1.2~+37 最小输入电压/V +7 +14 -14 +3,V-V,+40 io 电压调整率/mV +3 +3 +3 0.02%/V 最大输出电流/A 加散热片可达1A 1.5 三极管的材料有锗材料和硅材料。选用三极管需要了解三极管的主要参数。 一、三极管的类型及材料 初学者首先必须清楚三极管的类型及材料。常用三极管的类型有NPN型与PNP型两种。由于这两类三极管工作(
)时对电压的极性要求不同，所以它们是不能相互代换的。 三极管的材料有锗材料和硅材料。它们之间最大的差异就是起始电压不一样。锗管PN结的导通电压为0.2V左右，而硅管PN结的导通电压为 0.6,0.7V。在放大电路中如果用同类型的锗管代换同类型的硅管，或用同类型的硅管代换同类型的锗管一般是可以的，但都要在基极偏置电压上进行必要的调整，因为它们 - 20 - 的起始电压不一样。但在脉冲电路和开关电路中不同材料的三极管是否能互换必须具体
，不能盲目代换。 二、三极管的主要参数 选用三极管需要了解三极管的主要参数。若手中有一本晶体管特性手册最好。三极管的参数很多，根据实践经验，我认为主要了解三极管的四个极限参数:ICM、BVCEO、PCM及fT即可满足95%以上的使用需要。 1. ICM是集电极最大允许电流。三极管工作(工作总结)时当它的集电极电流超过一定数值时，它的电流放大系数β将下降。为此规定三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为ICM。所以在使用中当集电极电流IC超过ICM时不至于损坏三极管，但会使β值减小，影响电路的工作(工作总结)性能。 2. BVCEO是三极管基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压。如果在使用中加在集电极与发射极之间的电压超过这个数值时，将可能使三极管产生很大的集电极电流，这种现象叫击穿。三极管击穿后会造成永久性损坏或性能下降。 3. PCM是集电极最大允许耗散功率(集电极直流耗散功率=Vce*Ic)。 。三极管在工作(工作总结)时，集电极电流在集电结上会产生热量而使三极管发热。若耗散功率过大，三极管将烧坏。在使用中如果三极管在大于PCM下长时间工作(工作总结)，将会损坏三极管。需要注意的是大功率三极管给出的最大允许耗散功率都是在加有一定规格散热器情况下的参数。使用中一定要注意这一点。 4. 特征频率fT。随着工作(工作总结)频率的升高，三极管的放大能力将会下降，对应于β=1时的频率fT叫作三极管的特征频率。 三、一般小功率三极管的选用 小功率三极管在电子电路中的应用最多。主要用作小信号的放大、控制或振荡器。选用三极管时首先要搞清楚电子电路的工作(工作总结)频率大概是多少。如中波收音机振荡器的最高频率是2MHz左右;而调频收音机的最高振荡频率为120MHz左右;电视机中VHF频段的最高振荡频率为250MHz左右; UHF频段的最高振荡频率接近1000MHz左右。
设计中一般要求三极管的fT大于3倍的实际工作(工作总结)频率。所以可按照此要求来选择三极管的特征频率 fT。由于硅材料高频三极管的fT一般不低于50MHz，所以在音频电子电路中使用这类管子可不考虑fT这个参数。 小功率三极管BVCEO的选择可以根据电路的电源电压来决定，一般情况下只要三极管的BVCEO大于电路中电源的最高电压即可。当三极管的负载是感性负载时，如变压器、线圈等时BVCEO数值的选择要慎重，感性负载上的感应电压可能达到电源电压的2,8倍(如节能灯中的升压三极管)。一般小功率三极管的BVCEO都不低于15V，所以在无电感元件的低电压电路中也不用考虑这个参数。 - 21 - 一般小功率三极管的ICM在30,50mA之间，对于小信号电路一般可以不予考虑。但对于驱动继电器及推动大功率音箱的管子要认真计算一下。当然首先要了解继电器的吸合电流是多少毫安，以此来确定三极管的ICM。 当我们估算了电路中三极管的工作(工作总结)电流(即集电极电流)，又知道了三极管集电极到发射极之间的电压后，就可根据P=U×I来计算三极管的集电极最大允许耗散功率PCM。 国产及国外生产的小功率三极管的型号极多，它们的参数有一部分是相同的，有一部分是不同的。只要你根据以上分析的使用条件，本着“大能代小”的原则(即 BVCEO高的三极管可以代替BVCEO低的三极管;ICM大的三极管可以代替ICM小的三极管等)，就可对三极管应用自如了。 四、大功率三极管的选用 对于大功率三极管，只要不是高频发射电路，我们都不必考虑三极管的特征频率fT。对于三极管的集电极-发射极反向击穿电压BVCEO这个极限参数的考虑与小功率三极管是一样的。对于集电极最大允许电流 ICM的选择主要也是根据三极管所带的负载情况而计算的。三极管的集电极最大允许耗散功率PCM是大功率三极管重点考虑的问题，需要注意的是大功率三极管必须有良好的散热器。即使是一只四五十瓦的大功率三极管，在没有散热器时，也只能经受两三瓦的功率耗散。大功率三极管的选择还应留有充分的余量。另外在选择大功率三极管时还要考虑它的安装条件，以决定选择塑封管还是金属封装的管子。 如果你拿到一只三极管又无法查到它的参数，可以根据它的外形来推测一下它的参数。目前小功率三极管最多见的是TO-92封装的塑封管，也有部分是金属壳封装。它们的PCM一般在100,500mW之间，最大的不超过1W。它们的ICM一般在50,500mA之间，最大的不超过1.5A。而参数是不好判断的。 - 22 -
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